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2013年09月18日10:36 | 中国发展门户网 www.chinagate.cn | 给编辑写信 字号：T|T

二、生产规模和工艺技术

（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品

质量好、生产成本低的生产技术和设备。

（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和

国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏

产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研

发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工

艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民

币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三 ）

款产能要求的50%。

（三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求：

1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；

2.硅锭年产能不低于1000吨；

3.硅棒年产能不低于1000吨；

4.硅片年产能不低于5000万片；

5.晶硅电池年产能不低于200MWp；

6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；

7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。

（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品

的要求；

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，电阻

率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅

3

片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分

别小于10和18PPMA；

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低

于16%和17%；

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率

分别不低于14.5%和15.5%；

5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄

膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。

（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，电

阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅

片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分

别小于8和6PPMA；

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低

于18%和20%；

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分

别不低于16.5%和17.5%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效

率分别不低于12%、12%、13%、12%。

4

（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年

内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池

组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。

三、资源综合利用及能耗

（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土

地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。

（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：

1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合

电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小

于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；

2.现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克，新

建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生

产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不

得超过0.5千瓦时/千克；

3.现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克，新

建和改扩建项目小于45千瓦时/千克；

4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百

万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单

晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和

改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；

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