(节选)

中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室韩秀峰研究员在《2008科学发展报告》中发表了一篇题为“巨磁电阻效应的物理发现及其应用——2007年诺贝尔物理学奖评述”的文章，文章回顾了巨磁电阻效应的发现和发展历程，指出了这一发现的重要意义，并展望了其发展方向和前景。

文章首先介绍了巨磁电阻效应的发现过程，1988年前后德国科学家彼得ž格林贝格尔（Peter Grünberg）和法国科学家阿尔贝 费尔（Albert Fert）领导的实验室，分别发表了具有代表性的论文，他们在人工合成的纳米磁性多层膜材料（如Fe/Cr/Fe和[Fe/Cr]n）中先后发现了层间反铁磁耦合作用和巨大的磁电阻效应(GMR)。因此，他们在物理学界赢得诺贝尔物理奖。

然后文章介绍了巨磁电阻效应的原理和应用情况。基于GMR和TMR新型磁电阻器件更是广泛应用于生活、科研、生产、工业和国防等领域，创造了新的信息采集、存储和处理的GMR和TMR时代。

最后文章介绍了巨磁电阻效应的发展前景。近十几年来，GMR和TMR新型磁电阻材料及其物理研究已成为全世界发达国家和发展中国家政府竞相投资、大力扶持发展的最新研究领域。下一个实用化并有可能实现大规模产业化和市场的是基于磁性隧道结(TMR)的磁随机存储器(MRAM)。它将给计算机和信息技术(IT)等产业带来更大的发展动力、创造新的存储和逻辑器件工作方式、并造就更具发展前景的国际市场，促进IT产业和经济的发展。（摘自中国科学院“科学发展报告”课题组撰写的《2008科学发展报告》）