三、“十一五”发展思路和目标
（一）发展思路
“十一五”期间，继续巩固我国在传统元器件和部分电子材料领域的优势，进一步推进产品结构调整和技术升级。坚持跟踪与突破相结合、引进与创新相结合，有所为有所不为，集中力量，重点突破量大面广新型元器件、新型显示器件、关键电子材料，形成一批拥有自主知识产权和国际竞争力的优势企业。
新型元器件产业：以片式化、微型化、集成化、高性能化、无害化为目标，突破关键技术，调整产品结构；促进产业链上下游互动发展，着力培育骨干企业，推动产业结构升级。
新型显示器件产业：面向数字化、高清晰化、平板化需求，优先发展TFT-LCD和PDP，促进产业链垂直整合，扩大产业规模，培育自主创新能力；重点支持新一代平板显示器件和投影器件的工艺和生产技术开发，力争实现产业化；加快传统彩管产业战略转型，积极发展高清晰度、短管颈等高端产品。
电子材料产业：加强国际合作，推动产用结合，突破部分关键技术，缩小电子材料与国外先进水平的差距。重点发展技术含量高、市场前景好的电子信息材料，提高国内自主配套能力；注重环保型电子材料的开发。
（二）发展目标
到2010年，我国电子元器件总产量达到1.8万亿只，电子材料和元器件销售收入力争达到2.5万亿元，工业增加值达到6000亿元，出口创汇600亿美元。培育2-3家销售收入超过500亿元，10家以上销售收入100亿元的电子元器件企业。
新型元器件产业：到2010年，销售收入1.8万亿元，阻容感片式化率达到90%。电子元器件国际市场占有率达到30%，国内市场占有率达到50%。电子元件百强企业的销售收入占元件全行业的40%以上。
新型显示器件产业：到2010年，建立较为完备的新型显示器件生产体系，产业链基本齐全，新型显示器件产业达到规模2500亿元，有较强的国际竞争力。建立以企业为主体，产学研相结合的创新体系，形成可持续发展能力。逐步提高国产化水平，实现中、高档产品满足国内市场需求的50%以上，中、低档产品基本满足国内市场的需求。
电子材料产业：“十一五”期间，我国电子材料产业规模力争达到1000亿元，国内平均自我配套能力在30%以上，培育若干名牌产品和重点企业，主要电子信息材料的技术水平和产品性能与当时的国际水平相当。并形成相应的产业规模。
四、发展重点
（一）电子元器件产业（不含集成电路和显示器件）
1、片式元器件
积极跟踪市场发展动态，加大研发力度，进一步提高片式化率，大力发展片式元器件，促进产业结构调整。重点发展超小型片式多层陶瓷电容器、片式铝电解电容器、片式钽电容器、片式电感器、片式二、三极管、片式压电陶瓷频率器件、片式压电石英晶体器件、集成无源元件等产品。依托现有基础，加大新产品开发力度，大力发展微波介质器件、声表面波(SAW)器件、高频压电陶瓷器件、石英晶体器件、抗电磁干扰(EMT/EMP)滤波器等产品，满足我国通信和视听产品的研发和生产需求。
2、印刷电路板
加大投入，面向新一代移动通信市场，重点研发高密度互连多层印刷电路板(HDI)、多层挠性板(FPC)和刚挠印刷电路板(R-FPC)、IC封装载板、特种印刷电路板(背板、高频微波板、金属基板和厚铜箔板、埋置元件板、光电印制板和纳米材料的印刷电路板)等国内紧缺、需大量进口的产品，并尽快实现产业化，替代进口，促进产品结构调整，尽快实现由大到强转变；顺应绿色化潮流，加大环保工艺技术的研发和产业化。
3、混合集成电路
加快混合集成电路产业发展，集中力量，加大投入，提高引进吸收再创新能力，重点突破通信、汽车、医疗等用途的混合集成电路，逐步替代进口，尽快实现产业起步。
4、传感器及敏感元器件
进一步加大投资力度，扩大产业规模；加强市场开拓，扩大出口；加大研发力度，提高产品技术含量，增强竞争力。“十一五”期间，重点发展高精度和高可靠性汽车传感器，环境安全检测传感器，新型电压敏、热敏、气敏等敏感元器件，光纤传感器，MEMS传感器等。
5、绿色电池
大力发展绿色电池产业。依托现有产业基础，继续支持发展大容量、高可靠性锂离子电池和聚合物锂离子电池，扩大产业规模，积极开拓国际市场；重点开发再生能源体系用低成本高效率太阳能电池(含薄膜太阳能电池)；密切关注燃料电池发展动态，继续加大燃料电池研发力度；积极开发镍氢动力电池与锂离子动力电池，力争实现产业化。
6、新型半导体分立器件
紧紧抓住传统产业改造和电力系统改造的机遇，进一步加大科技投入，提高技术水平，大力发展新型半导体分立器件，重点发展半导体电力电子器件，包括纵向双扩散型场效应管VDMOS，绝缘栅双极型晶体管IGBT，静电感应晶体管系列SIT、BSIT、SITH，栅控晶闸管MCT，巨型双极晶体管GTR等。
7、新型机电组件
“十一五”期间，在继续保持中低档产品优势的同时，鼓励企业加大研发力度，重点研发无刷智能的微特电机，小型化、高密度、高频化、抗干扰多功能新型接插件，微型化、智能化的高性能继电器，大容量、宽频带的通讯、数据、电视、射频电缆，薄微型、高灵敏、宽频带、高保真电声器件，微波元件和组件（修改），新型低衰减、高带宽、大容量光纤光缆等产品。
8、光通信器件
积极跟踪世界技术发展前沿，面向新一代移动通信、下一代互联网的重大应用，重点发展高速光收/发模块、光电耦合器、光有源器件、光电交换器件，以及光无源器件和MEMS光开关等器件。
9、高亮度发光二极管
积极调整产品结构，重点研发四元系高亮度红、橙、黄发光二极管，蓝色、绿色、紫色、近紫外GaN、SiC发光二极管，并尽快实现产业化，基本实现从外延片、芯片制造、后工序封装及应用的完整产业链。
（二）新型显示器件
1、TFT-LCD显示器件
支持有自主知识产权和产业基础的优势企业，促进研究开发和产业化的有机结合，着力提高自主创新能力。引导和鼓励企业间的合作，加快建立国内彩电整机和显示器件企业间的合作机制，加大共性技术研发投入力度，提高我国平板电视的全球竞争力。重点建设液晶生产工艺技术开发中心、液晶模块技术工程中心和PDP工艺技术开发中心，支持建设第六代及其以上的TFT-LCD面板生产线，加快国内关键配套件的开发与产业化进程，力争在TFT-LCD用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破；逐步完善产业链，提高平板显示器件的自主发展能力。
2、PDP显示器件
通过技术引进和自主开发相结合，重点发展42″以上PDP显示屏、驱动电路及模块，掌握规模量产技术。建设2条以上PDP显示屏及模块生产线，鼓励和引导相关设备和专用材料的开发和产业化。
3、OLED等新一代显示器件及模块
依托现有产业技术基础，加大扶持力度，积极组织OLED等新一代显示器件和模块的基础技术研发，加快产业化进程，培育上下游产业，进一步提升产业竞争力。重点发展小尺寸手机主/副屏、PDA和MP3所用OLED显示屏，基本满足国内市场需求。继续大力支持LCOS等微显背投显示器件产业发展，积极跟踪FED等前沿技术发展动态。
4、CRT显示器件
紧跟时代潮流，在保持传统CRT显示器件优势的同时，加强大屏幕、高清晰、平面化、薄型化、数字化等高端产品的开发及量产，积极推进现有CRT企业产品技术升级和战略转型。重点发展数字高清晰度彩管及相关配套件，以及医疗、仪器、核辐射等方面使用的特种示波管。
（三）电子材料
1、半导体材料
未来五年，在硅基材料方面，在引进基础上消化吸收再创新，大力发展半导体级和太阳能级多晶硅材料，力争掌握多晶硅的大规模生产技术；实现8-12英寸硅单晶及外延片的产业化，力争国内配套；积极发展6英寸及以上SiGe，6、8英寸SOI材料，4～6英寸GaAs和InP等化合物半导体材料，加快产业化进程。重点支持面向国内6英寸及以上集成电路生产线所用的248nm及以下光刻胶、引线框架、金丝、超净高纯试剂，以及8英寸及以上溅射靶材等配套产品，力争到2010年主要半导体材料国内市场占有率达到30%。
2、新型显示器件材料
“十一五”期间，紧紧抓住新型显示器件产业高速发展的机遇，加大引进消化吸收再创新的力度，鼓励整机企业、显示器件企业、材料企业加强合作，共同开展研发工作，尽快实现新型显示器件材料产业化。在TFT-LCD液晶显示器件关键材料方面，积极发展TFT-LCD 液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色滤光片、偏光板和背光模组等关键材料生产技术，形成批量生产。PDP关键材料方面，重点发展荧光粉、电极材料、介质材料、障壁材料等。OLED关键材料方面，主要发展有机发光材料、隔离柱材料、Cr/ITO基板玻璃。
3、光电子材料
“十一五”期间，以高亮度发光材料为突破口，着重发展GaN、SiC等晶体及外延材料等，实现批量化生产，国内市场占有率达50%以上。保持我国在激光晶体材料方面的生产和技术优势，进一步加大研发力度，重点发展高功率激光晶体材料、LD泵浦激光晶体材料、可调谐激光晶体材料、新波长激光晶体材料、高效低阈值晶体材料。
4、磁性材料
保持规模优势，加大研发力度，提高产品附加值，重点发展粘结NdFeB永磁材料、纳米复合永磁材料、低温共烧材料和纳米软磁材料、巨磁致伸缩材料、磁致冷材料、电磁屏蔽材料、磁记录材料、高档永磁软磁铁氧体材料等市场前景好的材料。
5、电子功能陶瓷材料
继续做大产业规模，增强引进消化吸收再创新的能力，重点研发和生产高性能高可靠片式电容器陶瓷材料、低温共烧陶瓷(LTCC)材料及封装陶瓷材料、以及贱金属电子浆料(Ni、cu)，提高产品技术水平，增强产业实力。顺应绿色化潮流，积极开展无铅、无镉等瓷料研究和生产，并开展纳米基瓷料研究和生产。
6、覆铜板材料
继续保持产业规模优势，积极调整产品结构，重点发展环保型的高性能覆铜板、特殊功能覆铜板、高性能挠性覆铜板和基板材料等。
7、绿色电池材料
以电池产业规模优势带动材料发展，替代进口，重点发展锂离子电池高性能、低成本正负极材料，绿色电池高性能隔膜材料。
8、电子封装材料
“十一五”期间，重点发展先进封装模塑料(EMC)、先进的封装复合材料、高精度引线框架材料、高性能聚合物封装材料、压电石英晶体封装材料、高密度多层基板材料、精密陶瓷封装材料、无铅焊料、以及系统封装(SIP)用先进封装材料等材料。
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