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编号 |
产品名称 |
类别 |
主要技术指标 |
需突破的关键技术 |
12.1 |
集成电路关键装备 |
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(另行制定) |
(另行制定) |
12.2 |
光伏设备 |
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12.2.1 |
超大尺寸超导磁场单晶硅炉 |
I |
1、主炉室直径:Φ1350; 2、拉制晶体直径:12~18英寸; 3、装料量:≥300kg; 4、热场尺寸:30〞~32〞; |
1、大尺寸热场温度控制稳定性技术; 2、超导磁场引入技术; 3、智能控制技术。 |
12.2.2 |
吨级单晶硅铸锭炉 |
I |
1、单炉投料量:800kg~1200kg; 2、坩埚尺寸≥1050*1050*540mm; 3、可开方为≥36块小方锭; 4、一、二、三类类单晶成品率70%以上; |
1、先进控制技术; 2、先进的定向结晶控制工艺,对热场温度横向均匀性控制及垂直梯度控制技术; |
12.2.3 |
大容量多晶铸锭炉 |
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铸锭尺寸:840×840×275(mm) ; 铸锭时间:≤60小时; 冷态真空:≤0.5Pa。 |
热场分控技术; 定向凝固技术。 |
12.2.3 |
硅片切割设备 |
I |
太阳能电池硅片多线切割设备 技术指标: 主辊直径φ300 mm,长度520 mm |
1、整机系统集成技术及多线切割设备产业化生产、制造、工艺等关键技术; |
12.2.4 |
多晶槽式制绒设备 |
I |
可处理硅片尺寸:125mm×125mm 156mm×156mm |
1、批量多晶硅电池片在酸腐蚀环境下的精确温度控制技术; |
12.2.5 |
全自动扩散炉 |
I |
可处理硅片尺寸:125X125mm,156X156mm;装片量:400~500片/管;设备管数:1~5管; |
单机自动化技术 高方阻工艺等。 |
12.2.6 |
自动管式PECVD |
I |
可处理硅片尺寸: 125X125mm,156X156mm; 装片量: 252片、280片/125X125mm/管; 216片、240片/156X156mm/管; 设备管数:1~4管; |
单机自动化技术 |
12.3 |
发光二极管设备(LED) |
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12.3.1 |
蓝宝石晶体生长炉 |
I |
1、投料量:150kg; 2、晶体生长方法:泡生法; 3、转速:0.1~20mm/min; 4、提升:0.1~10mm/min; 5、加热方式:电阻加热器。 |
1、大尺寸及大投料量蓝宝石晶体生长技术; 2、有利于大尺寸晶体生长的热场分布技术; 3、晶体生长控制系统的全自动化技术; 4、超低含量钛杂质的蓝宝石晶体生长技术。 |
12.3.2 |
金刚石多线切割机 |
I |
1、 工作台尺寸:150mm L100mm(宽)100mm(高) 2、金刚线进给速度: 最大 60mm/min 最小 0.03mm/min 3、最大容线量:45km 4、最大线速:600m/min 5、最大摇摆角度:6º |
1、金刚石线张力控制系统设计技术; 2、金刚石线在线轴上的排线控制系统设计技术; 3、槽轮向下进给速度的精确控制系统设计技术; 4、槽轮摇摆速度的精确控制技术; 5、“金刚石线”制造技术。 |
12.3.3 |
高亮度发光二极管有机金属化学汽相沉积系统(MOCVD) |
I |
容量>50片/炉 (2英寸) GaN膜厚均匀性<5% GaN生长速率>2微米/小时 InGaN中In组分均匀性<1% |
1、中温到高温范围温度均匀性控制技术; 2、气体组分均匀性控制技术; 3、复杂反应腔整体可靠性、重复性控制技术。 |
12.3.4 |
LED自动划片机 |
I |
50-150mm,步进精度优于0.003mm |
智能控制技术 |
12.3.5 |
LED粘片机 |
I |
粘片速度≥12000只/小时; 装片精度≤±38μm。 |
高速高精度对准技术 |
12.3.6 |
LED等离子刻蚀机 |
I |
装载容量>20片/炉(2英寸) 刻蚀速率GaN>120nm/分钟 蓝宝石>60nm/分钟 刻蚀均匀性<5% |
蓝宝石衬底刻蚀速度及均匀性控制技术 |
12.4 |
TFT-LCD设备 |
I |
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12.4.1 |
液晶显示用玻璃基板成套生产设备 |
I |
可用于生产6代及以上的玻璃基板,基板尺寸1500×1850mm以上 |
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12.4.2 |
CELL摩擦机 |
I |
适合6代及以上生产线,基板尺寸1500×1850mm |
高可靠性和运转稳定性技术研究 |
12.4.3 |
Panel贴片机 |
I |
适合6代及以上生产线,贴附精度:±0.05mm |
CCD对位识别系统,设备工作的高可靠性和运转稳定性技术 |
12.4.4 |
LCM成套生产设备 |
I |
适合6代及以上生产线,基板尺寸1500×1850mm |
高可靠性和运转稳定性技术 |