重大技术装备自主创新指导目录(2012年版)

2012年02月15日16:59 | 中国发展门户网 www.chinagate.cn | 给编辑写信 字号:T|T
关键词: 技术装备 自主创新 指导目录 2012年

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12、电子及光伏制造装备

 

编号

产品名称

类别

主要技术指标

需突破的关键技术

12.1

集成电路关键装备

 

(另行制定)

(另行制定)

12.2

光伏设备

 

 

 

12.2.1

超大尺寸超导磁场单晶硅炉

I

1、主炉室直径:Φ1350

2、拉制晶体直径:1218英寸;

3、装料量:300kg

4、热场尺寸:30〞~32〞;

1、大尺寸热场温度控制稳定性技术;

2、超导磁场引入技术;

3、智能控制技术。

12.2.2

吨级单晶硅铸锭炉

I

1、单炉投料量:800kg1200kg

2、坩埚尺寸1050*1050*540mm

3、可开方为36块小方锭;

4、一、二、三类类单晶成品率70%以上;

1、先进控制技术;

2、先进的定向结晶控制工艺,对热场温度横向均匀性控制及垂直梯度控制技术;

12.2.3

大容量多晶铸锭炉

 

铸锭尺寸:840×840×275mm

铸锭时间:≤60小时;

冷态真空:≤0.5Pa

热场分控技术;

定向凝固技术。

12.2.3

硅片切割设备

I

太阳能电池硅片多线切割设备       技术指标:
最大加工外形尺寸:156×156×500(mm)4
方片: 210×210×500(mm)2
直径:φ160×500(mm)4
使用线径φ
0.1mm~0.16mm

主辊直径φ300 mm,长度520 mm
线速最大18m/s
工作台快速返回速度
0~500mm/min
工作台切割速度 0~9mm/min

1、整机系统集成技术及多线切割设备产业化生产、制造、工艺等关键技术;
2
、水冷却,气密封精密主轴的设计制造技术;
3
、精密主辊的设计制造技术;
4
、双工作台低速进给变速切割控制技术;
5
、线张力自动控制技术; 
6
、砂浆恒温控制技术;
7
、整机及单元智能控制技术;
8
、液压自动卸线技术;                                                                              9、断电断线检测及保护技术。

12.2.4

多晶槽式制绒设备

I

可处理硅片尺寸:125mm×125mm                       156mm×156mm
可处理硅片厚度:≥150μm
制绒工艺温度:4—12℃±0.5℃
设计产能:6000/小时(四通道)    3000/小时(双通道)

1、批量多晶硅电池片在酸腐蚀环境下的精确温度控制技术;
2
、分步式制绒概念的物化设计;
3
、制绒液温度、浓度与生产批次的关系研究;
4
设备+工艺模式的规模化应用技术。

12.2.5

全自动扩散炉

I

可处理硅片尺寸:125X125mm156X156mm;装片量:400~500/管;设备管数:1~5管;

单机自动化技术

高方阻工艺等。

12.2.6

自动管式PECVD

I

可处理硅片尺寸:

    125X125mm156X156mm

装片量:

    252片、280/125X125mm/管;

    216片、240/156X156mm/管;

设备管数:1~4管;

单机自动化技术

12.3

发光二极管设备(LED

 

 

 

12.3.1

蓝宝石晶体生长炉

I

1、投料量:150kg

2、晶体生长方法:泡生法;

3、转速:0.1~20mm/min

4提升:0.1~10mm/min

5、加热方式:电阻加热器。

1、大尺寸及大投料量蓝宝石晶体生长技术;

2、有利于大尺寸晶体生长的热场分布技术;

3、晶体生长控制系统的全自动化技术;

4、超低含量钛杂质的蓝宝石晶体生长技术。

12.3.2

金刚石多线切割机

I

1、  工作台尺寸:150mm

      L100mm()100mm()              2、金刚线进给速度:

      最大    60mm/min

      最小  0.03mm/min                            3、最大容线量:45km                              4、最大线速:600m/min                            5、最大摇摆角度:   

1、金刚石线张力控制系统设计技术;

2、金刚石线在线轴上的排线控制系统设计技术;

3、槽轮向下进给速度的精确控制系统设计技术;

4、槽轮摇摆速度的精确控制技术;

5、“金刚石线”制造技术。

12.3.3

高亮度发光二极管有机金属化学汽相沉积系统(MOCVD

I

容量>50/(2英寸)

GaN膜厚均匀性<5%

GaN生长速率>2微米/小时

InGaNIn组分均匀性<1%

1、中温到高温范围温度均匀性控制技术;

2、气体组分均匀性控制技术;

3、复杂反应腔整体可靠性、重复性控制技术。

12.3.4

LED自动划片机

I

50-150mm,步进精度优于0.003mm

智能控制技术

12.3.5

LED粘片机

I

粘片速度≥12000/小时;

装片精度≤±38μm

高速高精度对准技术

12.3.6

LED等离子刻蚀机

I

装载容量>20/炉(2英寸)

刻蚀速率GaN>120nm/分钟

蓝宝石>60nm/分钟

刻蚀均匀性<5%

蓝宝石衬底刻蚀速度及均匀性控制技术

12.4

TFT-LCD设备

I

 

 

12.4.1

液晶显示用玻璃基板成套生产设备

I

可用于生产6代及以上的玻璃基板,基板尺寸1500×1850mm以上

 

12.4.2

CELL摩擦机

I

适合6代及以上生产线,基板尺寸1500×1850mm

高可靠性和运转稳定性技术研究

12.4.3

Panel贴片机

I

适合6代及以上生产线,贴附精度:±0.05mm

CCD对位识别系统,设备工作的高可靠性和运转稳定性技术

12.4.4

LCM成套生产设备

I

适合6代及以上生产线,基板尺寸1500×1850mm

高可靠性和运转稳定性技术


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