用于芯片间光互连的新型光电探测器——斜面受光探测器

光互连是解决芯片间高速互连的有效途径，但是制约芯片间光互连广泛应用的主要因素之一是技术成本太高。中国科学院微电子研究所的李志华博士、申华军博士、李宝霞博士、杨成樾工程师和万里兮研究员在《2008科学发展报告》中发表了一篇题为“用于芯片间光互连的新型光电探测器——斜面受光探测器”的文章。

文章介绍到，为了简化光互连结构，降低成本，促进芯片间光互连的实用化，中国科学院微电子研究所万里兮研究员领导的研究组与美国乔治亚理工学院合作研制了一种新型的光电探测器——斜面受光探测器(edge-view photodetector, EVPD)。EVPD的受光面设计在一个台阶结构的斜面上，从平面光波导传输的光可直接与EVPD受光面进行耦合，而无需像传统的光学耦合那样转折90º。所以，EVPD与波导的耦合可省去反射镜和微透镜的使用，也就免去了相应的高成本的光学对准工序。EVPD原型的推出无疑对简化芯片间光互连、降低成本具有重要意义。

文章展望了此领域的发展前景，首个EVPD的性能尚不能满足高性能光互连的要求，如《光电子谱》（Photonics Spectra）杂志中介绍：需要对材料的外延生长和器件工艺进行优化来提高EVPD的性能。目前中国科学院微电子研究所正在针对EVPD投入资源进行研究，EEL-光波导-EVPD的光互连结构十分简单，成本也将大大低于现有的芯片间光互连系统，研究人员希望三至五年内实现这一光互连方案。（摘自中国科学院“科学发展报告”课题组撰写的《2008科学发展报告》）